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型号 SPB11N60C3
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
SPB11N60C3 PDF
代理商 SPB11N60C3
产品培训模块 CoolMOS™ CP Switching Behavior
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1,000
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.9V @ 500µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
功率 - 最大 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SP000013519
SPB11N60C3INTR
SPB11N60C3XT
SPB11N60C3XTINTR
SPB11N60C3XTINTR-ND
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